MOSFET：动作和原则的范围

研究材料的性质，如半导体，允许作出革命性的发现。 随着时间的推移有技术商业化生产二极管，MOS晶体管，晶闸管和其他元素。 他们成功地取代了真空管，并允许实现最大胆的想法。 半导体元件在我们生活的各个领域中。 他们帮助我们处理他们的电脑的基础上，大量信息的制造，录音机，电视机等

由于第一晶体管的发明，它是在1948年，通过了很长一段时间。 有该元素的变体：点锗，硅，场效应晶体管或MOSFET。 所有这些都广泛应用于电子设备。 半导体的性质的研究不会影响我们及时制止。

这些研究导致了这样的设备的出现为 MOSFET。 操作的原理 是基于这样的事实，所述电场（因此另一个名字-场）在边界与该介电变化的半导体层的表面的导电性。 该酒店在各种用途的电子电路中使用。 MOS晶体管具有这样的结构，其允许显着降低了漏极和源极之间的电阻的控制信号的影响下为零。

它的特性是从两极“竞争”不同。 这是他们谁决定了其应用范围。

• 高性能是通过小型化晶体本身和其独特的性能来实现的。 这是由于在工业生产中的困难。 目前，产生具有0.06微米栅晶体。
• 一个小的过渡电容使这些设备在高频电路中操作。 例如，与其使用的LSI已成功在移动通信中使用。
• 几乎零电阻，它具有在打开状态下的MOSFET，它可被用作电子钥匙。 它们可以在电路工作，用于产生高频信号，或者用于桥接元件，例如运算放大器。
• 这种类型的功能强大的设备已在功率模块被成功地使用，并且可以被包括在感应电路。 它们的使用的一个很好的例子可以是逆变器。

设计和这些元素中工作时，有必要考虑一些功能。 MOSFET是对过电压和反向容易失败敏感。 电感电路常用的高速肖特基二极管用于平滑反向电压脉冲，其在切换期间发生。

对于使用这些设备的前景是相当大的。 提高自己的制造技术是如何减少晶体（快门缩放）。 渐渐地出现了能够管理更大的电机设备。